HJT電(dian)池(chi)生產設備，異質(zhi)結(jie)電(dian)池(chi)整線解(jie)決方案(an)，制絨清洗的(de)(de)主要目的(de)(de)。1去除硅(gui)片(pian)表面(mian)(mian)的(de)(de)污染和損傷層(ceng)；2利用KOH腐蝕液對n型硅(gui)片(pian)進行各項(xiang)異性腐蝕，將Si（100）晶(jing)面(mian)(mian)腐蝕為Si（111）晶(jing)面(mian)(mian)的(de)(de)四方椎體結(jie)構(gou)（“金字塔(ta)結(jie)構(gou)”），即(ji)在硅(gui)片(pian)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)成絨面(mian)(mian)，可將硅(gui)片(pian)表面(mian)(mian)反射率降低至12.5%以下，從(cong)而產生更多(duo)的(de)(de)光生載(zai)流子；3形(xing)(xing)成潔(jie)凈硅(gui)片(pian)表面(mian)(mian)，由于(yu)HJT電(dian)池(chi)中(zhong)硅(gui)片(pian)襯底表面(mian)(mian)直接為異質(zhi)結(jie)界面(mian)(mian)的(de)(de)一部分，避免(mian)不(bu)潔(jie)凈引進的(de)(de)缺陷和雜質(zhi)而帶來的(de)(de)結(jie)界面(mian)(mian)處載(zai)流子的(de)(de)復合。HJT電(dian)池(chi)的(de)(de)應用范圍廣闊，包(bao)括戶(hu)用、商用、工業等(deng)領域(yu)。北(bei)京自動化(hua)HJT金屬化(hua)設備

HJT是HeterojunctionTechnology的(de)縮寫，是一種N型單晶雙面電池，具有(you)工(gong)藝簡單、發電量高、度(du)電成本低(di)的(de)優勢(shi)。異質結太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電池使用(yong)晶體硅片進(jin)行載流子(zi)傳輸和吸收，并(bing)使用(yong)非晶/或(huo)微晶薄硅層進(jin)行鈍化和結的(de)形成。頂部電極(ji)由透明(ming)導電氧化物（TCO）層和金屬網格組成。異質結硅太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電池已經吸引了很多人的(de)注意(yi)，因為它(ta)們可以達到很高的(de)轉(zhuan)換效率(lv)，可達26.3%，由隆(long)基團隊對HJT極(ji)限效率(lv)進(jin)行更新為28.5%，同(tong)時使用(yong)低(di)溫(wen)度(du)加(jia)工(gong)，通(tong)常(chang)整個過程(cheng)低(di)于(yu)200℃。低(di)加(jia)工(gong)溫(wen)度(du)允許處(chu)理厚度(du)小于(yu)100微米(mi)的(de)硅晶圓，同(tong)時保持高產量。南京(jing)太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)HJT低(di)銀HJT電池的(de)應用(yong)可以提高能(neng)源利用(yong)效率(lv)，促進(jin)可持續發展。

HJT（Heterojunction with Intrinsic Thin Layer）是一(yi)種新(xin)型的(de)(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)技術，相比(bi)于傳統(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)晶(jing)體硅太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)，HJT具(ju)(ju)有(you)(you)更(geng)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)轉換效率和(he)(he)更(geng)低的(de)(de)(de)(de)(de)溫度(du)系數(shu)(shu)。在(zai)壽命(ming)和(he)(he)可(ke)(ke)靠(kao)(kao)性方面，HJT也有(you)(you)一(yi)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)優勢。首先，HJT的(de)(de)(de)(de)(de)壽命(ming)較(jiao)長(chang)。由(you)于HJT采用了多層異質結(jie)構，可(ke)(ke)以(yi)有(you)(you)效地(di)減少電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)光衰減和(he)(he)熱衰減，從而延長(chang)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)使用壽命(ming)。此外，HJT電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)材料(liao)和(he)(he)工藝也比(bi)較(jiao)成熟，可(ke)(ke)以(yi)保證電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)穩定(ding)性和(he)(he)可(ke)(ke)靠(kao)(kao)性。其次，HJT的(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)(ke)靠(kao)(kao)性較(jiao)高(gao)。HJT電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構簡單，沒有(you)(you)PN結(jie)，因(yin)此不會出現PN結(jie)老化和(he)(he)漏電(dian)等問題。同時，HJT電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)溫度(du)系數(shu)(shu)較(jiao)低，可(ke)(ke)以(yi)在(zai)高(gao)溫環境下保持較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)轉換效率，不會因(yin)為溫度(du)變化而影響(xiang)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)性能。總的(de)(de)(de)(de)(de)來說，HJT電(dian)池(chi)(chi)具(ju)(ju)有(you)(you)較(jiao)長(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)壽命(ming)和(he)(he)較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)(ke)靠(kao)(kao)性，這(zhe)也是其在(zai)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)領域備受關(guan)注的(de)(de)(de)(de)(de)原因(yin)之一(yi)。但(dan)是，HJT電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)成本較(jiao)高(gao)，還需要進(jin)一(yi)步(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)技術改進(jin)和(he)(he)成本降低才能在(zai)市(shi)場(chang)上得到廣泛(fan)應用。

HJT電池整線(xian)解決方(fang)(fang)案，制(zhi)絨(rong)清洗(xi)的(de)(de)(de)主要目的(de)(de)(de)有，1去除硅(gui)片(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)污染(ran)和損傷(shang)層；2利(li)用KOH腐蝕(shi)(shi)液(ye)對n型硅(gui)片(pian)(pian)(pian)進(jin)行各項(xiang)異(yi)性腐蝕(shi)(shi)，將Si（100）晶(jing)面(mian)(mian)(mian)腐蝕(shi)(shi)為(wei)Si（111）晶(jing)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)四(si)方(fang)(fang)椎(zhui)體結構（“金字塔(ta)結構”），即在(zai)硅(gui)片(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)(mian)形成絨(rong)面(mian)(mian)(mian)，可(ke)將硅(gui)片(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)(mian)反射(she)率降低至12.5%以下(xia)，從而(er)產生更多的(de)(de)(de)光(guang)生載(zai)流子(zi)；3形成潔凈硅(gui)片(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)(mian)，由于HJT電池中硅(gui)片(pian)(pian)(pian)襯底表面(mian)(mian)(mian)直接(jie)為(wei)異(yi)質結界(jie)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)一部分，避免不潔凈引(yin)進(jin)的(de)(de)(de)缺陷和雜(za)質而(er)帶來的(de)(de)(de)結界(jie)面(mian)(mian)(mian)處載(zai)流子(zi)的(de)(de)(de)復合(he)。堿溶(rong)液(ye)濃度(du)(du)較低時，單晶(jing)硅(gui)的(de)(de)(de)(100)與(111)晶(jing)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)腐蝕(shi)(shi)速(su)度(du)(du)差別比(bi)較明顯，速(su)度(du)(du)的(de)(de)(de)比(bi)值被稱(cheng)為(wei)各向異(yi)性因子(zi)(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶(rong)液(ye)的(de)(de)(de)濃度(du)(du)及溫(wen)度(du)(du)，可(ke)以有效(xiao)地改變AF，使(shi)得在(zai)不同方(fang)(fang)向上的(de)(de)(de)速(su)度(du)(du)不同，在(zai)硅(gui)片(pian)(pian)(pian)表面(mian)(mian)(mian)形成密(mi)集分布的(de)(de)(de)“金字塔(ta)”結構的(de)(de)(de)減反射(she)絨(rong)面(mian)(mian)(mian)；在(zai)制(zhi)絨(rong)工序，絨(rong)面(mian)(mian)(mian)大小(xiao)為(wei)主要指標，一般可(ke)通(tong)過添加劑的(de)(de)(de)選擇、工藝(yi)配比(bi)的(de)(de)(de)變化、工藝(yi)溫(wen)度(du)(du)及工藝(yi)時間(jian)等來進(jin)行調(diao)節控制(zhi)。HJT光(guang)伏技術是一種高效(xiao)、環保的(de)(de)(de)太陽能轉換(huan)技術。

太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)是(shi)一種高(gao)(gao)效(xiao)的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)，其(qi)全稱為(wei)“Heterojunction with Intrinsic Thin-layer”，即異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)內(nei)在(zai)(zai)薄層太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)。它(ta)采(cai)用(yong)(yong)了多(duo)層異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)結(jie)構，包括p型硅(gui)、n型硅(gui)和(he)非晶硅(gui)等材料，通(tong)過在(zai)(zai)不(bu)同材料之間形成異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)，實現(xian)了電(dian)荷的(de)(de)(de)(de)分離和(he)收集，從而提(ti)高(gao)(gao)了電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)電(dian)轉換(huan)效(xiao)率。相比(bi)于傳統的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)，太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)具有(you)以下(xia)優點：1.高(gao)(gao)效(xiao)率：太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)電(dian)轉換(huan)效(xiao)率可(ke)(ke)以達到22%以上(shang)，比(bi)傳統的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)高(gao)(gao)出(chu)(chu)很多(duo)。2.穩(wen)(wen)定(ding)性好：太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)穩(wen)(wen)定(ding)性比(bi)傳統的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)更好，可(ke)(ke)以在(zai)(zai)高(gao)(gao)溫、低(di)光(guang)(guang)等環(huan)境下(xia)保(bao)持(chi)較高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)效(xiao)率。3.環(huan)保(bao)：太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)采(cai)用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)材料都(dou)是(shi)環(huan)保(bao)的(de)(de)(de)(de)，不(bu)會(hui)對環(huan)境造成污染。4.適應(ying)(ying)性強：太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)可(ke)(ke)以適應(ying)(ying)不(bu)同的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)照條(tiao)件，可(ke)(ke)以在(zai)(zai)弱光(guang)(guang)和(he)強光(guang)(guang)環(huan)境下(xia)都(dou)有(you)較好的(de)(de)(de)(de)效(xiao)果(guo)。總之，太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)是(shi)一種高(gao)(gao)效(xiao)、穩(wen)(wen)定(ding)、環(huan)保(bao)、適應(ying)(ying)性強的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)，具有(you)廣泛的(de)(de)(de)(de)應(ying)(ying)用(yong)(yong)前景。HJT電(dian)池(chi)(chi)(chi)是(shi)一種綠色(se)能源技(ji)術，可(ke)(ke)以有(you)效(xiao)降低(di)碳排(pai)放(fang)和(he)環(huan)境污染，為(wei)保(bao)護環(huan)境做出(chu)(chu)了積極貢(gong)獻。合肥光(guang)(guang)伏HJTPVD

HJT電(dian)池的(de)制(zhi)造工藝(yi)與PERC電(dian)池相似，但結構更(geng)加優化，使其具有更(geng)高的(de)性(xing)能。北京自動化HJT金屬化設備

HJT的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)工(gong)藝主要包括以(yi)下(xia)幾(ji)個步(bu)驟：1.基(ji)(ji)片(pian)制(zhi)(zhi)備(bei)：選擇合適(shi)的(de)(de)(de)(de)基(ji)(ji)片(pian)材料(liao)，如硅(gui)、鎵(jia)砷(shen)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)等，進(jin)行(xing)表面處(chu)理和清洗，以(yi)保證后續工(gong)藝的(de)(de)(de)(de)順利進(jin)行(xing)。2.沉(chen)積(ji)薄(bo)(bo)膜(mo)：利用(yong)化(hua)(hua)(hua)學氣相沉(chen)積(ji)、物理的(de)(de)(de)(de)氣相沉(chen)積(ji)等技術，在(zai)基(ji)(ji)片(pian)表面沉(chen)積(ji)一層或多(duo)層薄(bo)(bo)膜(mo)，如n型(xing)或p型(xing)摻雜(za)層、金屬電極等。3.制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)異質(zhi)(zhi)(zhi)結(jie)(jie)：通(tong)過摻雜(za)、擴散、離子(zi)注入(ru)等方法(fa)，在(zai)基(ji)(ji)片(pian)表面形(xing)成n型(xing)和p型(xing)半導體材料(liao)的(de)(de)(de)(de)異質(zhi)(zhi)(zhi)結(jie)(jie)。4.退火(huo)處(chu)理：將(jiang)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)好的(de)(de)(de)(de)異質(zhi)(zhi)(zhi)結(jie)(jie)進(jin)行(xing)高溫(wen)退火(huo)處(chu)理，以(yi)提高其(qi)電學性(xing)能和穩定性(xing)。5.制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)封(feng)裝：將(jiang)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)好的(de)(de)(de)(de)光(guang)伏異質(zhi)(zhi)(zhi)結(jie)(jie)進(jin)行(xing)封(feng)裝，以(yi)保護其(qi)免受(shou)外界環(huan)境的(de)(de)(de)(de)影響，并方便其(qi)在(zai)實際(ji)應(ying)用(yong)中的(de)(de)(de)(de)使用(yong)。以(yi)上(shang)(shang)是(shi)光(guang)伏異質(zhi)(zhi)(zhi)結(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)工(gong)藝的(de)(de)(de)(de)基(ji)(ji)本步(bu)驟，不同的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)工(gong)藝可能會有所不同，但總體上(shang)(shang)都是(shi)在(zai)這些基(ji)(ji)本步(bu)驟的(de)(de)(de)(de)基(ji)(ji)礎上(shang)(shang)進(jin)行(xing)的(de)(de)(de)(de)。北(bei)京自動化(hua)(hua)(hua)HJT金屬化(hua)(hua)(hua)設(she)備(bei)

釜川（無錫(xi)）智能科技(ji)有(you)(you)(you)限公(gong)司(si)(si)(si)(si)是一(yi)(yi)家有(you)(you)(you)著雄厚(hou)實(shi)力背景、信(xin)譽可(ke)靠、勵精圖治、展(zhan)(zhan)望未來、有(you)(you)(you)夢想有(you)(you)(you)目標，有(you)(you)(you)組織有(you)(you)(you)體(ti)系的(de)(de)公(gong)司(si)(si)(si)(si)，堅持(chi)于(yu)帶領員(yuan)工在(zai)(zai)未來的(de)(de)道路上大放光明，攜(xie)(xie)手(shou)共畫(hua)藍圖，在(zai)(zai)江蘇(su)省等地區的(de)(de)機械及(ji)行(xing)業(ye)設備(bei)行(xing)業(ye)中積(ji)累了(le)大批忠誠(cheng)的(de)(de)客戶粉絲(si)源，也收(shou)獲了(le)良好(hao)(hao)的(de)(de)用戶口碑，為(wei)公(gong)司(si)(si)(si)(si)的(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)奠(dian)定的(de)(de)良好(hao)(hao)的(de)(de)行(xing)業(ye)基礎，也希望未來公(gong)司(si)(si)(si)(si)能成(cheng)為(wei)**，努力為(wei)行(xing)業(ye)領域的(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)奉獻出自己的(de)(de)一(yi)(yi)份力量，我(wo)們相信(xin)精益求精的(de)(de)工作(zuo)態度和(he)不(bu)斷的(de)(de)完善創(chuang)新理念(nian)以及(ji)自強不(bu)息(xi)，斗志昂揚的(de)(de)的(de)(de)企業(ye)精神將**釜川智能科技(ji)供應和(he)您一(yi)(yi)起(qi)攜(xie)(xie)手(shou)步入輝煌，共創(chuang)佳績，一(yi)(yi)直以來，公(gong)司(si)(si)(si)(si)貫徹執行(xing)科學管(guan)理、創(chuang)新發(fa)展(zhan)(zhan)、誠(cheng)實(shi)守信(xin)的(de)(de)方針(zhen)，員(yuan)工精誠(cheng)努力，協同奮(fen)取(qu)，以品(pin)質、服務來贏得(de)市場，我(wo)們一(yi)(yi)直在(zai)(zai)路上！

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